用ADG884芯片延长手机的电池寿命

降低蜂窝手机功耗并且延长其电池寿命是每一位手机设计工程师的目标。设计工程师正在不断将MP3播放器、照相机以及全运动视频等功能加入到现代手机中,从而需要不断地将功耗降到最低。

步骤/方法

  • 01

    将信号加到缓存器的I/P输入引脚 当输入电压高于输入高电压(Vih)时缓存器的输出电压是Vdd(电源电压),当输入电压低于输入低电压(Vil)时缓存器的输出电压为GND(地)。这样确保模拟开关的门极电压为电源的某一端电压,从而使其信号范围最大。从0~Vdd扫描输入电压的同时监测电源电流(Idd)产生的如图2所示的I-V特性曲线。当输入电压是电源电压的任一端电压时,Idd降到最小值(0 μA)。但是当输入电压接近于缓存器的跳变点时,Idd急剧增加。因此,当施加到I/P端的数字输入电压为电源的某一端电压时,模拟开关消耗最低功耗。

  • 02

    将缓存器设计中所用的NMOS和PMOS开关管用作电压控制电阻器。 Vgs > Vt —> 晶体管导通 Vgs < Vt —> 晶体管关断 Vt被定义为门限电压,当高于该电压时在源极和漏极之间形成导电沟道。NMOS晶体管的Vt为0.9 V,PMOS晶体管的Vt为-0.9 V。因此,当输入电压是0 V时,PMOS(M1)处于导通状态,第一级的输出是Vdd。在第二级中,NMOS(M5)器件处于导通状态,缓存器总输出为0 V。缓存器输入电压增加时(在达到最大电流以前)会引起M1的阻抗增加(M1开始关断)以及M5的阻抗下降(M5开始导通),这时我们将会看到Vdd和GND之间形成的低阻抗通道。进一步提高输入电压会使缓存器的输入输出晶体管对中只有一只晶体管导通。

  • 03

    将基带芯片的电源电压和模拟开关的电源电压连接并且在两颗芯片之间转换逻辑电平。

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