用万用表检测MOS管的好坏
用数字万用表的二极管档及电阻档通过测量MOS场效应管各极间的电阻即可快速测量出管子的好坏。这里以N沟道MOS场效应管5N60C为例,来详细介绍一下具体的测量方法。
操作方法
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N沟道MOS场效应管好坏的测量方法
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用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。 测量5N60C好坏时,首先将万用表量程开关调至二极管档,将5N60C的G极悬空,用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极,若是好的管子,万用表显示为“OL”,即溢出(见上图)。
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用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。 然后调换红黑表笔,再去测量D-S两极,则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降(见上图)。 若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。
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用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时,红表笔应接管子的G极,黑表笔接管子的S极。 在测量完5N60C的D-S两极,并且确实是好的之后,然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电。 由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级(GΩ读作吉欧,1GΩ=1000MΩ),数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8~3V,故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后,可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小,故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏。
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用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。
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