固态硬盘怎么存储数据(固态硬盘怎么保存)

几乎每天,我们都会用智能手机或电脑来保存图片、视频、文档等数据,很多人也知道数据能够保存是由于设备中有一个叫做「硬盘」的组件存在,但也有很多人不知道硬盘是怎样储存这些数据的。本着「知其然,也要知其所以然」的精神,本期,闪德君就给大家讲讲其中的原理。

首先我们要明白的是,计算机中只有0和1,那么我们存入硬盘的数据,实际上也就是一堆0和1,换句话说,我们如果有办法记录0和1就可以记录数据了,比如我们有2个灯泡,一个不亮一个亮就可以表示01,即数字1,两个都亮11,即表示数字2,越大的数可以用越多的灯泡来表示。

硬盘分为机械硬盘和固态硬盘,由于结构的不同它们储存数据的原理也不同。先来看机械硬盘,其最重要的结构是两面涂有磁性材料的磁盘,在工作时会以每分钟7200转的速度旋转。

磁盘的作用就是记录数据,在盘片上有序的排列了很多的小颗粒材料,它们都是磁性物质,可以被永久磁化和改变磁极,这两个磁极就分别表示了计算机二进制中的0和1。

写入数据时,距离盘面3纳米的磁头会利用电磁铁,改变磁盘上磁性材料的极性来记录数据,两种极性分别对应0或1。而读取数据时,旁边的读取器可以识别磁性材料的不同极性,再还原成0或1。

由于磁盘是转动后读写数据的,所以,当初设计就是在类似磁盘同心圆上面切出一个一个的小区块,这些小区块整合成一个圆形,让机器手臂上的磁头去存取。这个小区块就是磁盘的最小物理储存单位,称之为扇区 (sector),大小一般是512字节,而同一个扇区组合成的圆就是所谓的磁道(track)。

因此,磁头要想读取某个文件,必须在电机驱动下,先找到对应的磁道,再等磁盘转到对应扇区才行,一般会有十几毫秒的延迟,这就让机械硬盘在读取分散于磁盘各处的数据时,速度将大幅降低。

相较于机械硬盘里面的复杂结构,固态硬盘就要简单许多。它主要是靠FLASH芯片来作为储存数据的介质,由主控芯片来承担数据的中转,并调配数据储存在闪存芯片上面。

闪存的基本存储单元是浮栅晶体管,其中的浮栅被二氧化硅包裹,和上下绝缘,在断电时也能够保存电子,当电子数量高于一个中间值就表示0,低于中间值就表示1。

晶体管每次写入数据前都要先擦除,在P极上加一个电压,浮栅中原有的电子会因为量子隧穿效应通过绝缘层被吸出来,让浮栅中的电子数量低于中间值,还原成1;如果要写入0,就在控制极加一个电压,让电子穿过绝缘层再注回浮栅,使电子数量高于中间值,表示0。

但在读取时,闪存无法直接得知浮栅中有多少电子。因为往控制极加一定大小的电压,会导通这两个N极。控制极上的电压越大,N极间的电流也越大。然而,存储0的浮栅,相比存储1的浮栅,有更多的电子,会抵消控制极上的电压,所以控制极需要更大的电压才能导通两个N极。

因此,当不知道浮栅中有多少电子时,就可以往控制极加一个中间值电压,如果两个N极导通,就能反推出浮栅中的电子较少,识别为1;如果没有导通,就说明浮栅中的电子较多,识别为0。

传统的单阶存储单元SLC ,电子数量只有两种状态,只能保存一比特的数据。而多阶存储单元MLC、TLC和QLC ,它们的电子数量有4~16种状态,一个单元可保存2~4比特。

多阶存储单元大大降低了固态硬盘单位容量的成本,但也影响了硬盘寿命和性能。这是因为晶体管擦写数据时,二氧化硅绝缘层会困住一部分电子,这些电子的累积会逐渐抵消控制极上的电压,使得控制极为了导通两个N极所需的电压越来越大,当这个偏移超过中间值,那么读取时也就无法分辨0和1。

而多阶存储单元由于不同状态之间分得非常细,也就更容易受这种偏移的影响,所以从SLC到QLC,它们总的擦写次数呈几何级数递减。

总结来说,机械硬盘是磁头通过磁盘旋转来读写数据的,所以磁盘读写数据的速度跟磁盘的旋转速度有很大的关系,磁盘转得越快磁头就能更快的访问到更多区域,速度自然就越快了。但也正是转速比较快,所以抗震抗摔以及抗尘能力比较差,试想每分钟几千转的磁盘震了一下或者撞上了灰尘,磁头即使只是发生了一点点小小的偏移,也会带来不可逆转的损坏。

而固态硬盘由于没有了机械结构,完全不用担心这些的问题。但是固态硬盘也有一个硬伤就是:它是靠在存储单元里面存放电子的方式来存储数据。而电子大家知道是一个非常非常小的东西,这样如果同一个位置存放电子再擦除,如此反复长久以来就会出现不稳定的情况,比如电子会写不上。尤其是将要到来的QLC储存芯片,每个存储单元里面放了4个电子,由于电子之间也会互相影响,导致寿命大大减少。

不过,一块消费级的MLC或TLC固态硬盘也足够你至少使用5年,且使用体验远超机械硬盘,读写速度可达后者的十倍以上。此外,由于没有复杂的机械结构,固态硬盘工作时也更安静、更抗震。

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